เครื่องปรับสภาพพื้นผิวด้วยพลาสมา

HY-ES10 เป็นระบบการบำบัดด้วยพลาสมาเชิงทดลอง ซึ่งถูกนำไปใช้อย่างแพร่หลายโดยสถาบันวิจัย มหาวิทยาลัย ห้องปฏิบัติการวิจัยและพัฒนาของบริษัท และสายการผลิตขนาดเล็ก ระบบนี้ใช้เทคโนโลยีการปล่อยประจุพลาสมาแบบ CCP (Capacitively Coupled Plasma) ระบบทั้งหมดประกอบด้วยห้องสุญญากาศ เครื่องกำเนิดพลาสมา ปั๊มสุญญากาศ และช่องรับและปล่อยก๊าซ ห้องบำบัดทำจากสแตนเลสทรงสี่เหลี่ยม

HY-TM500 ทำงานภายใต้ความดันบรรยากาศโดยไม่ต้องใช้ห้องสุญญากาศ ราง 3 แกนแบบกำหนดเองให้การบำบัดที่แม่นยำและครอบคลุมทั่วถึง สร้างขึ้นด้วยฮาร์ดแวร์ระดับทางการทหารและการควบคุมแบบดิจิทัล รองรับกำลังไฟที่ปรับได้ 0–800 วัตต์ พลาสมาอุณหภูมิต่ำที่ปราศจากศักย์ไฟฟ้าช่วยปกป้อง PCB, FPC และชิ้นส่วนเซมิคอนดักเตอร์ พร้อมทั้งทำความสะอาดพื้นผิว กระตุ้น และปรับเปลี่ยนเพื่อเพิ่มการยึดเกาะสำหรับการเชื่อมต่อ การพิมพ์ และการเคลือบ พร้อมสำหรับการใช้งานอัตโนมัติแบบอินไลน์ในอุตสาหกรรม 3C, จอแสดงผล, เซมิคอนดักเตอร์, ยานยนต์ และพลังงานใหม่

HY-DD600 ใช้การออกแบบหัวฉีดขนาดเล็กและแคบ (ความกว้างใช้งาน 2–6 มม.) เหมาะสำหรับชิ้นส่วนขนาดเล็กที่มีความแม่นยำสูง เช่น ชิป วงจรพิมพ์แบบยืดหยุ่น (FPC) และแผ่นรองพื้น BGA ขนาดเล็ก เจ็ทพลาสมาอุณหภูมิต่ำที่ปราศจากศักย์ไฟฟ้า ช่วยลดความเสี่ยงจากการไหม้จากความร้อนสำหรับวัสดุ PI/ITO ที่บางเป็นพิเศษ ปืนขนาดกะทัดรัดนี้เหมาะสำหรับช่องว่างแคบและโครงสร้างขนาดเล็กที่ซับซ้อน เหมาะอย่างยิ่งสำหรับสายการผลิตการเชื่อมและการจ่ายอัตโนมัติขนาดเล็กสำหรับบรรจุภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์และการเตรียมพื้นผิวโมดูลกล้อง

HY-AC1000H ใช้พลาสมาแบบเป็นกลางอุณหภูมิต่ำโดยไม่ต้องใช้สุญญากาศ มาพร้อมรางที่ปรับแต่งได้และปืนหมุนคู่ มีกำลังไฟปรับได้ 0–1000 วัตต์ และความกว้างในการรักษา 20–80 มม. จึงสามารถทำความสะอาดชิปได้อย่างปลอดภัยโดยไม่ทำให้เกิดความเสียหายจากความร้อนการทำความสะอาดแบบแห้งทั้งทางกายภาพและทางเคมีช่วยเพิ่มประสิทธิภาพการยึดติดสำหรับการติดชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ การเชื่อมต่อสายไฟ และการขึ้นรูป เพื่อลดการแยกชั้นและการเกิดช่องว่าง รองรับการควบคุมด้วยตนเองและผ่านอินพุต/เอาต์พุต พร้อมระบบตรวจสอบความปลอดภัยอย่างเต็มรูปแบบ สามารถเชื่อมต่อกับสายการผลิตอัตโนมัติเพื่อการประมวลผลอย่างต่อเนื่องของวัสดุตั้งต้น เฟรมตะกั่ว และแผง FPC ขนาดใหญ่ ให้การผลิตที่เสถียรต่อเนื่องเป็นเวลานานภายใต้ภาระงานเต็มที่ ด้วยเวลาตอบสนองต่ำกว่า 0.1 วินาที